STD2HNK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 4.4 Ом, 45Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
128 шт. с центрального склада, срок 3 недели
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт. —
530 ֏
от 37 шт. —
480 ֏
от 74 шт. —
454 ֏
4 шт.
на сумму 2 480 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 4.4 Ом, 45Вт
Технические параметры
| Корпус | D-Pak | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W | |
| Qg - заряд затвора | 11 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 30 ns | |
| Время спада | 50 ns | |
| Высота | 2.4 mm | |
| Длина | 6.6 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | STD2HNK60Z | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Ширина | 6.2 mm | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Fall Time | 50 ns | |
| Height | 2.4 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A | |
| Length | 6.6 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-252-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 45 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 11 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 Ohms | |
| Rise Time | 30 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 6.2 mm | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
