STP200NF04, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2430 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
238 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 15 шт. —
225 ֏
от 29 шт. —
203 ֏
9 шт.
на сумму 2 142 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Automotive | Yes | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 120 | |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3.7@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 | |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310000 | |
| Military | No | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 | |
| Packaging | Tube | |
| Pin Count | 3 | |
| Process Technology | STripFET II | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Supplier Package | TO-220 | |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 170 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 170@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5100@25V | |
| Вес, г | 3.5 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
