STD6N52K3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4510 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

278 ֏

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 78 шт. — 229 ֏

от 155 шт. — 216 ֏

от 310 шт. — 198 ֏

8 шт. на сумму 2 224 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8519445467

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A

Корпус	DPAK/TO-252AA
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	18 ns
Id - Continuous Drain Current:	5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	70 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	26 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1 Ohms
Rise Time:	11 ns
Series:	STD6N52K3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	31 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	525 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.8