STP4NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
![Фото 1/5 STP4NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452310.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
58 шт. с центрального склада, срок 3 недели
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 17 шт. —
580 ֏
от 33 шт. —
520 ֏
4 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Id - непрерывный ток утечки | 4 A | |
Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
Qg - заряд затвора | 26 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 9.5 ns | |
Время спада | 16.5 ns | |
Высота | 9.15 mm | |
Длина | 10.4 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | SuperMESH | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STP4NK60Z | |
Технология | Si | |
Тип | MOSFET | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 29 ns | |
Типичное время задержки при включении | 12 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.6 mm | |
Base Product Number | STP4NK60 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | SuperMESHв„ў -> | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2000 | |
Fall Time | 16.5 ns | |
Forward Transconductance - Min | 3 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 4 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 70 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 18.8 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms | |
Rise Time | 9.5 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 29 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | |
Unit Weight | 0.050717 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 4.6 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
Maximum Power Dissipation | 70 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18.8 nC @ 10 V | |
Вес, г | 3.57 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг