STB30NF10T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
![Фото 1/5 STB30NF10T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172972.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
48 шт. с центрального склада, срок 3 недели
245 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 16 шт. —
227 ֏
от 31 шт. —
209 ֏
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 205 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.038Ом | |
Power Dissipation | 115Вт | |
Квалификация | - | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | - | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 15А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В | |
Рассеиваемая Мощность | 115Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 10 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 10 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
Pd - Power Dissipation: | 115 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 55 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms | |
Rise Time: | 40 ns | |
Series: | STB30NF10 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 115 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET II | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Width | 9.35mm | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг