STP11NM80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
547 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 030 ֏
от 13 шт. —
1 720 ֏
от 26 шт. —
1 580 ֏
от 50 шт. —
1 550 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 150 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | MDmesh | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| Width | 4.6mm | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 15 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 43.6 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms | |
| Rise Time: | 17 ns | |
| Series: | STP11NM80 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 1630 | |
| Заряд затвора, нКл | 43.6 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 11 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 400 | |
| Мощность | рассеиваемая(max)-150 Вт | |
| Описание | N-Channel 800 V 11A(Tc)150W(Tc)Through Hole TO-220 | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/300 | |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. | |
| Вид | MOSFET | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 904 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 463 КБ
Datasheet STB11NM80T4
pdf, 888 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
