STP55NF06FP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
![Фото 1/3 STP55NF06FP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458123.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC010625692.jpg)
350 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
970 ֏
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 17 шт. —
620 ֏
от 33 шт. —
560 ֏
от 100 шт. —
520 ֏
3 шт.
на сумму 2 250 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 35А, 30Вт, TO220FP
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 50 | |
Fall Time | 15 ns | |
Forward Transconductance - Min | 18 S | |
Id - Continuous Drain Current | 50 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 30 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 44.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 15 mOhms | |
Rise Time | 50 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns | |
Unit Weight | 0.071959 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 15 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 18 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package/Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 30 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 44.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms | |
Rise Time: | 50 ns | |
Series: | STP55NF06FP | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг