STGF14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
263 шт. с центрального склада, срок 3 недели
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 12 шт. —
800 ֏
от 23 шт. —
740 ֏
от 50 шт. —
700 ֏
3 шт.
на сумму 2 790 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Base Part Number | STG*14NC | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 11A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A | |
Gate Charge | 34.4nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Standard | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power - Max | 28W | |
Reverse Recovery Time (trr) | 37ns | |
Series | PowerMESHв(ў | |
Supplier Device Package | TO-220FP | |
Switching Energy | 82ВµJ(on), 155ВµJ(off) | |
Td (on/off) @ 25В°C | 22.5ns/116ns | |
Test Condition | 390V, 7A, 10Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 11 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 11 A | |
Continuous Collector Current: | 7 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 150 uA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package/Case: | TO-220-3 FP | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 28 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | STGF14NC60KD | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1190 КБ
Datasheet STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD
pdf, 1461 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг