STP24NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 410 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
1 190 ֏
2 шт.
на сумму 2 820 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 37 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 17 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 120 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 46 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 168 mOhms | |
Rise Time: | 16.5 ns | |
Series: | STP24NM60N | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1075 КБ
STP24NM60N
pdf, 1080 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг