STD4N62K3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
![Фото 1/3 STD4N62K3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
199 шт. с центрального склада, срок 3 недели
295 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 34 шт. —
247 ֏
от 68 шт. —
229 ֏
от 136 шт. —
212 ֏
7 шт.
на сумму 2 065 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A | |
Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
Qg - заряд затвора | 14 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.95 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 3 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Серия | STD4N62K3 | |
Технология | Si | |
Тип | SuperMesh3 Power MOSFET | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | TO-252-3 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Id - Continuous Drain Current | 3.8 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-252-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 70 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 14 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.95 Ohms | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | SuperMesh3 Power MOSFET | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг