STP55NF06L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт
![Фото 1/6 STP55NF06L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728510.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/899/DOC003899071.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872545.jpg)
39 шт. с центрального склада, срок 3 недели
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 12 шт. —
484 ֏
от 24 шт. —
449 ֏
4 шт.
на сумму 2 120 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Максимальная рабочая температура | +175 °C | |
Максимальный непрерывный ток стока | 55 А | |
Тип корпуса | TO-220 | |
Максимальное рассеяние мощности | 95 Вт | |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
Ширина | 4.6мм | |
Высота | 9.15мм | |
Размеры | 10.4 x 4.6 x 9.15мм | |
Материал транзистора | Кремний | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 10.4мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Типичное время задержки включения | 20 ns | |
Производитель | STMicroelectronics | |
Типичное время задержки выключения | 40 нс | |
Серия | STripFET II | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Максимальное сопротивление сток-исток | 18 mΩ | |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В | |
Число контактов | 3 | |
Категория | Мощный МОП-транзистор | |
Типичный заряд затвора при Vgs | 27 нКл при 4,5 В | |
Номер канала | Поднятие | |
Типичная входная емкость при Vds | 1700 пФ при 25 В | |
Тип канала | N | |
Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 20 ns | |
Forward Transconductance - Min | 30 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 55 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 95 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms | |
Rise Time | 100 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
Width | 4.6 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 55 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
Maximum Power Dissipation | 95 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 20 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 30 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 55 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 95 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 27 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms | |
Rise Time: | 100 ns | |
Series: | STP55NF06L | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 318 КБ
Datasheet STB55NF06LT4
pdf, 335 КБ
Datasheet STP55NF06L
pdf, 332 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг