STP80NF10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт
![Фото 1/6 STP80NF10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC037211695.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/424/DOC037424863.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/424/DOC037424867.jpg)
26 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
1 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
1 500 ֏
от 14 шт. —
1 400 ֏
2 шт.
на сумму 3 520 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
RoHS Compliant | Yes | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 300 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET II | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вид | MOSFET | |
Тип | полевой | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг