STP40NF10L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
![Фото 1/5 STP40NF10L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/976/DOC029976016.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/779/DOC033779256.jpg)
144 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
840 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 14 шт. —
710 ֏
от 27 шт. —
630 ֏
от 50 шт. —
600 ֏
3 шт.
на сумму 2 520 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Base Product Number | STP40 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 40A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | 175В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 20A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | STripFETв„ў -> | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±17V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 40 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -17 V, +17 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 150 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 5 V | |
Width | 4.6mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 24 ns | |
Forward Transconductance - Min | 25 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 40 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 150 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms | |
Rise Time | 82 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 64 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 17 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг