N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220 STP12NM50
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт., срок 7 недель
6 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 100 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,5А, 160Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 7.5A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 160W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | STP12NM50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.5 S |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | STP12NM50 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
