STP21N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

500 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

880 ֏

750 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 16 шт. — 620 ֏

от 32 шт. — 560 ֏

от 100 шт. — 530 ֏

3 шт. на сумму 2 250 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8838042381

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 650В 17А 125Вт

Корпус	TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	17A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	125W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 8.5A, 10V
Series	MDmeshв(ў V
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	125 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	150 mOhms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	3.5