STW9N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт

Фото 1/5 STW9N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
79 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
2 470 ֏
от 6 шт.2 070 ֏
от 11 шт.1 940 ֏
от 21 шт.1 870 ֏
1 шт. на сумму 2 470 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8856535200
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт

Технические параметры

Корпус TO-247
Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 8(A)
Drain Current (Max) 8 A
Drain Efficiency Not Required%
Drain-Source On-Res 2.5(ohm)
Drain-Source On-Volt 1500(V)
Frequency (Max) Not Required MHz
Gate-Source Voltage (Max) '±30(V)
Mounting Through Hole
Noise Figure Not Required dB
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power (Max) Not Required W
Package Type TO-247
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Polarity N
Power Dissipation 320(W)
Power Gain Not Required dB
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 8 A
Maximum Drain Source Resistance 2.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 1500 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 320 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Series MDmesh
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 89.3 nC @ 10 V
Width 5.15mm
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STW9N150
pdf, 254 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 12 августа1 бесплатно
HayPost 15 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг