STW9N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт
![Фото 1/5 STW9N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт](https://static.chipdip.ru/lib/418/DOC047418373.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964116.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/581/DOC044581515.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC046005797.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC046005802.jpg)
79 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
2 470 ֏
от 6 шт. —
2 070 ֏
от 11 шт. —
1 940 ֏
от 21 шт. —
1 870 ֏
1 шт.
на сумму 2 470 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Continuous Drain Current | 8(A) | |
Drain Current (Max) | 8 A | |
Drain Efficiency | Not Required% | |
Drain-Source On-Res | 2.5(ohm) | |
Drain-Source On-Volt | 1500(V) | |
Frequency (Max) | Not Required MHz | |
Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Noise Figure | Not Required dB | |
Number of Elements | 1 | |
Operating Temp Range | -55C to 150C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Output Power (Max) | Not Required W | |
Package Type | TO-247 | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Polarity | N | |
Power Dissipation | 320(W) | |
Power Gain | Not Required dB | |
Rad Hardened | No | |
Type | Power MOSFET | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 1500 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 320 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Series | MDmesh | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 89.3 nC @ 10 V | |
Width | 5.15mm | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STW9N150
pdf, 254 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг