STW12NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5А 190Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 000 ֏
от 6 шт. —
1 690 ֏
от 12 шт. —
1 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5А 190Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 | |
| Fall Time: | 20 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.5 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-247-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms | |
| Rise Time: | 18 ns | |
| Series: | STW12NK80Z | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | SuperMESH | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 673 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
