STP45NF06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом

Фото 1/3 STP45NF06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
521 шт. с центрального склада, срок 3 недели
269 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 22 шт.238 ֏
от 50 шт.229 ֏
от 100 шт.216 ֏
8 шт. на сумму 2 152 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8932397460
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом

Технические параметры

Корпус to-220
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 18 S
Height 9.15 mm
Id - Continuous Drain Current 38 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 80 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 28 mOhms
Rise Time 40 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 28 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 4.6 mm
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 18 S
Id - Continuous Drain Current: 38 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 80 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 28 mOhms
Rise Time: 40 ns
Series: STP45NF06
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 28 ns
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 672 КБ
Datasheet STP45NF06
pdf, 687 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 9 августа1 бесплатно
HayPost 13 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг