Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.24

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
быстрый просмотр
3 720 ֏ ×
от 5 шт. — 3 520 ֏
IRF7307PBF, Транзистор, N/P-каналы 20В 5.2А/-4.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
163 ֏ ×
от 25 шт. — 152 ֏
IRF7342PBF, Транзисто, 2P-канала 55В 3.4А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
840 ֏ ×
IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 3.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
580 ֏
326 ֏
×
от 15 шт. — 308 ֏
IRF7424TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 11А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
760 ֏
×
от 25 шт. — 740 ֏
IRF7451TRPBF, Транзистор
Бренд: Infineon
быстрый просмотр
530 ֏ ×
IRF7480MTRPBF, Транзистор
Бренд: Infineon
быстрый просмотр
970 ֏ ×
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 39
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
970 ֏
550 ֏
×
от 25 шт. — 520 ֏
быстрый просмотр
462 ֏ ×
от 5 шт. — 437 ֏
IRFB812PBF, Транзистор, N-канал 500В 3.6А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 78
Крутизна характеристики, S: 7.6
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
670 ֏
451 ֏
×
от 15 шт. — 436 ֏
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0061 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Крутизна характеристики, S: 56
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
228 ֏ ×
от 15 шт. — 214 ֏
быстрый просмотр
1 640 ֏
1 190 ֏
×
IRFR540ZTRPBF, DPAK/TO-252AA
Бренд: Infineon
Корпус: DPAK/TO-252AA
быстрый просмотр
432 ֏ ×
IRFR5505TRLPBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 57
Крутизна характеристики, S: 4.2
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
730 ֏
435 ֏
×
от 15 шт. — 419 ֏
IRFR9120NTRLPBF, Транзистор, HEXFET, Р-канал, 100В, 6.5А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 790 ֏
быстрый просмотр
2 510 ֏ ×
быстрый просмотр
1 220 ֏ ×
от 5 шт. — 1 170 ֏
быстрый просмотр
2 220 ֏ ×
от 5 шт. — 2 100 ֏
быстрый просмотр
378 ֏ ×
от 5 шт. — 359 ֏
быстрый просмотр
1 540 ֏ ×
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60