Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.27

1295 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/0.48А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
276 ֏ ×
от 15 шт. — 268 ֏
IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/0.21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
466 ֏
×
от 15 шт. — 446 ֏
IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.48
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
770 ֏ ×
от 25 шт. — 710 ֏
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
590 ֏
367 ֏
×
от 15 шт. — 354 ֏
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
730 ֏
322 ֏
×
от 15 шт. — 290 ֏
IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0124 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
560 ֏ ×
от 15 шт. — 490 ֏
IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0014 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Крутизна характеристики, S: 190
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 340 ֏
×
от 15 шт. — 2 320 ֏
IRFH7004TRPBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 40В, 100А [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0014 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 117
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
1 520 ֏
1 060 ֏
×
от 10 шт. — 990 ֏
IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 020 ֏
×
от 15 шт. — 1 010 ֏
IRFH8321TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм, [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54
Крутизна характеристики, S: 68
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
2 370 ֏
1 150 ֏
×
от 15 шт. — 1 060 ֏
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
510 ֏
356 ֏
×
от 50 шт. — 336 ֏
IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 70
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
464 ֏ ×
от 15 шт. — 456 ֏
IRFHS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.5А [PQFN-2x2]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: PQFN-6(2X2)
быстрый просмотр
285 ֏
171 ֏
×
от 15 шт. — 153 ֏
IRFI1310NPBF, Транзистор Nкан 100В 22А [TO-220FP]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1 040 ֏
760 ֏
×
от 15 шт. — 740 ֏
IRFI540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 20А [TO-220FP]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Крутизна характеристики, S: 9
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1 460 ֏
960 ֏
×
от 15 шт. — 940 ֏
IRFI640GPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.8А [TO-220FP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 3.2
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 180 ֏
×
от 15 шт. — 1 160 ֏
IRFI840GPBF, Транзистор, N-канал 500В 4.6А [TO-220FP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 3.7
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 110 ֏
×
от 15 шт. — 1 090 ֏
IRFIB6N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 5.5А [TO-220FP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/3.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Крутизна характеристики, S: 5.5
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 500 ֏
×
от 15 шт. — 1 480 ֏
IRFL014NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 1.9А [SOT-223]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 1.6
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
334 ֏
226 ֏
×
от 50 шт. — 209 ֏
IRFL014TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223] (IRFL014PBF)
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/1.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 1.9
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
540 ֏
305 ֏
×
от 50 шт. — 285 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60