Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.9

_{309 из 2253}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGP30H60DFB, TO-220-3 IGBTs ROHS 5-6 недель, 20 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 20 шт.	4 100 ֏ ×	от 10 шт. — 3 220 ֏
STGP3HF60HD, IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT Ultrafast diode 7-9 недель, 5852 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 5852 шт.	1 460 ֏ ×	от 10 шт. — 1 100 ֏ от 100 шт. — 810 ֏ от 500 шт. — 650 ֏
STGP3HF60HD, Транзистор: IGBT; 600В; 4,5А; 38Вт; TO220AB 5-6 недель, 19 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 19 шт.	1 020 ֏ ×	от 10 шт. — 660 ֏
STGP3NC120HD, БТИЗ транзистор, 14 А, 2.3 В, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 950 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 950 шт.	2 250 ֏ ×	от 10 шт. — 1 940 ֏ от 100 шт. — 1 580 ֏
STGP4M65DF2, IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A 7-9 недель, 1960 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1960 шт.	1 370 ֏ ×	от 10 шт. — 620 ֏ от 100 шт. — 540 ֏ от 500 шт. — 467 ֏
STGP4M65DF2, TO-220 IGBTs ROHS 5-6 недель, 50 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 50 шт.	3 080 ֏ ×	от 10 шт. — 2 160 ֏ от 50 шт. — 1 840 ֏
STGP5H60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 88Вт; TO220AB 5-6 недель, 20 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 20 шт.	1 540 ֏ ×	от 10 шт. — 1 150 ֏
STGP6NC60HD, IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT 7-9 недель, 3660 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 3660 шт.	1 150 ֏ ×	от 10 шт. — 930 ֏ от 100 шт. — 730 ֏ от 500 шт. — 620 ֏
STGP7NC60HD 8-10 недель, 37004 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 37004 шт.	2 160 ֏ ×	от 50 шт. — 1 500 ֏ от 100 шт. — 1 220 ֏ от 500 шт. — 970 ֏
STGP8NC60KD 8-10 недель, 854 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 854 шт.	1 940 ֏ ×	от 50 шт. — 1 410 ֏ от 100 шт. — 1 070 ֏ от 500 шт. — 840 ֏
STGW100H65FB2-4 IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO247-4 8 недель, 604 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 604 шт.	13 100 ֏ ×
STGW100H65FB2-4, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT 7-9 недель, 42 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 42 шт.	8 800 ֏ ×	от 10 шт. — 7 200 ֏ от 25 шт. — 6 500 ֏
STGW100H65FB2-4, БТИЗ транзистор, 145 А, 1.55 В, 441 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов) 9-11 недель, 80 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 80 шт.	7 800 ֏ ×	от 5 шт. — 7 700 ֏ от 10 шт. — 7 400 ֏
STGW15H120DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed 7-9 недель, 1090 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1090 шт.	3 960 ֏ ×	от 25 шт. — 2 820 ֏ от 100 шт. — 2 240 ֏ от 600 шт. — 1 860 ֏
STGW19NC60HD 8-10 недель, 4860 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 4860 шт.	4 140 ֏ ×	от 30 шт. — 2 820 ֏ от 120 шт. — 2 250 ֏ от 510 шт. — 1 860 ֏
STGW19NC60HD, IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT 7-9 недель, 5243 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 5243 шт.	4 010 ֏ ×
STGW19NC60HD, Транзистор: IGBT; 600В; 21А; 140Вт; TO247-3 8 недель, 26 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 26 шт.	4 010 ֏ ×	от 3 шт. — 3 570 ֏ от 10 шт. — 2 770 ֏
STGW20H60DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.6 В, 167 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 504 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 504 шт.	2 200 ֏ ×	от 10 шт. — 2 160 ֏ от 100 шт. — 2 020 ֏
STGW20NC60V, IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp 7-9 недель, 1185 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1185 шт.	3 700 ֏ ×	от 10 шт. — 3 480 ֏ от 25 шт. — 2 820 ֏ от 100 шт. — 2 500 ֏
STGW20V60DF 8-10 недель, 590 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 590 шт.	4 840 ֏ ×	от 30 шт. — 3 300 ֏ от 120 шт. — 2 640 ֏ от 510 шт. — 2 190 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.9

ООО «ЧИП и ДИП»