Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.8

_{1959 из 2220}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRGP4068D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГц [TO-247AD] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-247AD	быстрый просмотр		1 860 ֏ ×	от 15 шт. — 1 770 ֏
IRGP4068DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		4 550 ֏ 1 510 ֏ ×	от 15 шт. — 1 440 ֏
IRGP4650DPBF, Транзистор IGBT 600В 76А 268Вт [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 76 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 268 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 970 ֏ ×	от 15 шт. — 1 870 ֏
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		6 200 ֏ ×	от 15 шт. — 5 900 ֏
IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 240 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: Super-247	быстрый просмотр		18 200 ֏ 9 500 ֏ ×	от 15 шт. — 9 000 ֏
RJP63G4DPE-00#J3, Транзистор IGBT 630В 40А [D2PAK] 9 дней, 1 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	9 дней, 1 шт.	5 800 ֏ ×	от 3 шт. — 5 400 ֏
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		4 550 ֏ 3 160 ֏ ×	от 15 шт. — 3 140 ֏
AOK40B65H2AL, Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 105Вт, TO247, Eвыкл: 0,54мДж Бренд: Alpha & Omega	быстрый просмотр		1 870 ֏ ×
APT35GN120L2DQ2G, Транзистор IGBT Бренд: Microchip	быстрый просмотр		3 250 ֏ ×
APT35GN120L2DQ2G, Транзистор IGBT (N-канал 1200В 94A TO264) Бренд: Microsemi	быстрый просмотр		9 200 ֏ ×
BSM50GX120DN2BOSA1, БТИЗ силовой модуль AG-ECONO2-2 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		146 000 ֏ ×	от 10 шт. — 136 000 ֏
BSM75GB120DN2HOSA1, БТИЗ силовой модуль AG320 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		19 600 ֏ ×	от 10 шт. — 19 200 ֏
FDN360P 2 недели, 4747 шт. Бренд: TECH PUBLIC	быстрый просмотр	2 недели, 4747 шт.	36 ֏ ×	от 1000 шт. — 28 ֏ от 4000 шт. — 25 ֏
FF150R12RT4, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 150А, AG-34мм-1, винтами, винтами Бренд: Infineon	быстрый просмотр		57 300 ֏ ×
FGA25S125P-SN00337, Транзистор: IGBT, 1250В, 25А, 125Вт, TO3PN Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		4 050 ֏ ×
FGH20N60SFDTU, Транзистор IGBT, 600В, 20А, 66Вт, TO247-3 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		4 360 ֏ ×
IKD06N60RATMA1, Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK Бренд: Infineon	быстрый просмотр		1 030 ֏ ×	от 10 шт. — 850 ֏
IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А Бренд: Ixys	быстрый просмотр		14 400 ֏ ×
Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ Бренд: Infineon	быстрый просмотр		186 000 ֏ ×
Транзистор FGPF4633, тип IGBT N, 30 Вт, корпус TO-220F 2 недели, 1 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	2 недели, 1 шт.	3 380 ֏ ×

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.8

ООО «ЧИП и ДИП»