Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.7

_{1959 из 2220}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		2 040 ֏ ×	от 15 шт. — 1 930 ֏
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 9 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	9 дней, 1 шт.	1 830 ֏ ×
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 160 ֏ 1 150 ֏ ×	от 15 шт. — 1 040 ֏
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 490 ֏ 2 460 ֏ ×	от 15 шт. — 2 340 ֏
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		2 460 ֏ ×	от 15 шт. — 2 340 ֏
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 340 ֏ 2 070 ֏ ×	от 15 шт. — 2 040 ֏
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 820 ֏ 3 040 ֏ ×	от 15 шт. — 2 890 ֏
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		7 000 ֏ 2 860 ֏ ×	от 15 шт. — 2 710 ֏
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		6 700 ֏ 4 790 ֏ ×	от 15 шт. — 4 760 ֏
IGP50N60T Бренд: Infineon	быстрый просмотр		4 320 ֏ ×
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		4 000 ֏ 2 960 ֏ ×	от 15 шт. — 2 920 ֏
IHW20N120R3FKSA1 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TrenchStop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 310 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 387 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		3 560 ֏ ×
IKB30N65EH5ATMA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		3 850 ֏ ×	от 5 шт. — 3 740 ֏
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3-46	быстрый просмотр		10 400 ֏ 3 050 ֏ ×	от 15 шт. — 2 980 ֏
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		4 200 ֏ ×	от 15 шт. — 3 990 ֏
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		990 ֏ ×	от 15 шт. — 940 ֏
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		1 100 ֏ 720 ֏ ×	от 10 шт. — 700 ֏
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 32 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 36 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		3 160 ֏ 1 250 ֏ ×	от 15 шт. — 1 240 ֏
IRGP4063PBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 580 ֏ ×	от 15 шт. — 1 500 ֏
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AD	быстрый просмотр		11 200 ֏ 3 280 ֏ ×	от 15 шт. — 3 120 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»