Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.2

2257 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
8 дней, 1355 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
8 дней,
1355 шт.
930 ֏ ×
от 50 шт. — 800 ֏
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
8 дней, 1493 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
8 дней,
1493 шт.
1 210 ֏ ×
от 15 шт. — 1 130 ֏
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK]
8 дней, 733 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
8 дней,
733 шт.
850 ֏
660 ֏
×
от 15 шт. — 600 ֏
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK]
8 дней, 84 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
8 дней,
84 шт.
462 ֏ ×
от 15 шт. — 423 ֏
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
8 дней, 30 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
8 дней,
30 шт.
540 ֏
322 ֏
×
от 15 шт. — 304 ֏
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]
8 дней, 151 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
8 дней,
151 шт.
850 ֏
325 ֏
×
от 15 шт. — 296 ֏
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]
8 дней, 387 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
387 шт.
1 160 ֏
710 ֏
×
от 15 шт. — 690 ֏
STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP]
8 дней, 275 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
275 шт.
1 460 ֏
900 ֏
×
от 15 шт. — 870 ֏
STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP]
8 дней, 46 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
46 шт.
1 040 ֏
570 ֏
×
от 15 шт. — 550 ֏
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP]
8 дней, 219 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
219 шт.
2 130 ֏
1 330 ֏
×
от 15 шт. — 1 310 ֏
STF9NK90Z, Транзистор MOSFET N-канал 900В 8А [TO-220FP]
8 дней, 559 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
559 шт.
1 400 ֏
880 ֏
×
от 15 шт. — 840 ֏
STFW4N150, Транзистор Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]
8 дней, 81 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63
Крутизна характеристики, S: 3.5
Корпус: to-3pf
быстрый просмотр
8 дней,
81 шт.
5 700 ֏ ×
от 3 шт. — 5 200 ֏
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223]
8 дней, 964 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
8 дней,
964 шт.
352 ֏
185 ֏
×
от 15 шт. — 176 ֏
STN3NF06L, Транзистор, N-канал, 60В, 4A [SOT-223]
8 дней, 1542 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
8 дней,
1542 шт.
364 ֏
200 ֏
×
от 50 шт. — 184 ֏
STP10NK70ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A [TO-220FP]
8 дней, 104 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
104 шт.
1 280 ֏
780 ֏
×
от 15 шт. — 760 ֏
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]
8 дней, 184 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 9.6
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
184 шт.
3 520 ֏
2 350 ֏
×
от 15 шт. — 2 230 ֏
STP11NK40ZFP, Транзистор N-MOSFET 400В 9А [TO-220FP]
8 дней, 183 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
183 шт.
1 040 ֏
680 ֏
×
от 15 шт. — 600 ֏
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB]
8 дней, 91 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
91 шт.
1 100 ֏
640 ֏
×
от 15 шт. — 610 ֏
STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP]
8 дней, 101 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
8 дней,
101 шт.
1 280 ֏
411 ֏
×
от 15 шт. — 374 ֏
STP120NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 110А [TO-220]
8 дней, 474 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0105 Ом/60А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312
Корпус: to-220
быстрый просмотр
8 дней,
474 шт.
1 940 ֏
1 700 ֏
×
от 15 шт. — 1 640 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60