Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.28

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
9 дней, 2287 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
2287 шт.
231 ֏ ×
от 15 шт. — 212 ֏
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
164 ֏
97 ֏
×
от 100 шт. — 88 ֏
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
4 490 ֏ ×
от 15 шт. — 4 330 ֏
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 48
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 520 ֏
2 630 ֏
×
от 15 шт. — 2 600 ֏
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 640 ֏
2 430 ֏
×
от 15 шт. — 2 400 ֏
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 340 ֏
1 040 ֏
×
от 15 шт. — 970 ֏
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
590 ֏
303 ֏
×
от 15 шт. — 283 ֏
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 100 ֏
660 ֏
×
от 15 шт. — 640 ֏
FQP13N10, Транзистор N-MOSFET 100В 12.8А 65Вт [TO-220]
9 дней, 280 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 65
Корпус: to-220
быстрый просмотр
9 дней,
280 шт.
418 ֏ ×
от 100 шт. — 381 ֏
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB]
9 дней, 329 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
9 дней,
329 шт.
424 ֏ ×
от 15 шт. — 388 ֏
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 040 ֏
×
от 15 шт. — 1 020 ֏
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 500 ֏
×
от 15 шт. — 1 480 ֏
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 9.3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 280 ֏
740 ֏
×
от 15 шт. — 710 ֏
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 470 ֏ ×
от 20 шт. — 1 430 ֏
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 160 ֏
790 ֏
×
от 15 шт. — 760 ֏
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 12.4
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 160 ֏ ×
от 15 шт. — 1 120 ֏
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 280 ֏
770 ֏
×
от 15 шт. — 750 ֏
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 160 ֏
690 ֏
×
от 15 шт. — 670 ֏
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 050 ֏
×
от 15 шт. — 1 030 ֏
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/16.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 127
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 280 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 790 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60