Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.40

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRFD014PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 1.7А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.96
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
540 ֏
301 ֏
×
от 15 шт. — 280 ֏
IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.9
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
430 ֏
×
от 25 шт. — 409 ֏
IRFD120PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
374 ֏
×
от 15 шт. — 356 ֏
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
310 ֏
198 ֏
×
от 15 шт. — 184 ֏
IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/0.48А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
265 ֏ ×
от 15 шт. — 258 ֏
IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/0.21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
449 ֏
×
от 15 шт. — 430 ֏
IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.48
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
750 ֏ ×
от 25 шт. — 690 ֏
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
590 ֏
354 ֏
×
от 15 шт. — 341 ֏
IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/0.96А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 1.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
790 ֏
510 ֏
×
от 15 шт. — 482 ֏
IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/0.42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.6
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
438 ֏
×
от 15 шт. — 421 ֏
IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.71
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
730 ֏
374 ֏
×
от 15 шт. — 346 ֏
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
730 ֏
310 ֏
×
от 15 шт. — 280 ֏
IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0124 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
540 ֏ ×
от 15 шт. — 472 ֏
IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0014 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Крутизна характеристики, S: 190
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 260 ֏
×
от 15 шт. — 2 240 ֏
IRFH7004TRPBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 40В, 100А [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0014 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 117
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
1 520 ֏
1 020 ֏
×
от 10 шт. — 950 ֏
IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
1 700 ֏
990 ֏
×
от 15 шт. — 970 ֏
IRFH8321TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм, [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54
Крутизна характеристики, S: 68
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
2 370 ֏
1 100 ֏
×
от 15 шт. — 1 020 ֏
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
510 ֏
343 ֏
×
от 50 шт. — 324 ֏
IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 70
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
447 ֏ ×
от 15 шт. — 439 ֏
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
1 160 ֏
730 ֏
×
от 15 шт. — 710 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60