Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.34

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
408 ֏
×
от 25 шт. — 392 ֏
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
436 ֏
×
от 25 шт. — 399 ֏
IRF730PBF, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 Ом/3.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
402 ֏
×
от 15 шт. — 381 ֏
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
386 ֏
×
от 25 шт. — 363 ֏
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
790 ֏
530 ֏
×
от 25 шт. — 476 ֏
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
398 ֏
×
от 25 шт. — 381 ֏
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
418 ֏
×
от 25 шт. — 400 ֏
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20/5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
315 ֏
×
от 25 шт. — 291 ֏
IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 100 ֏
570 ֏
×
от 25 шт. — 499 ֏
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
444 ֏ ×
от 50 шт. — 415 ֏
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 6605 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
6605 шт.
449 ֏
250 ֏
×
от 100 шт. — 228 ֏
IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 040 ֏
650 ֏
×
от 25 шт. — 620 ֏
IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏ ×
от 25 шт. — 485 ֏
IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏
368 ֏
×
от 50 шт. — 359 ֏
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 5333 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
5333 шт.
485 ֏
345 ֏
×
от 50 шт. — 329 ֏
IRF7343TRPBF-VB, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 7013 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
7013 шт.
580 ֏
391 ֏
×
от 25 шт. — 363 ֏
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 880 ֏
1 310 ֏
×
от 25 шт. — 1 270 ֏
IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 460 ֏
560 ֏
×
от 25 шт. — 489 ֏
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
358 ֏
243 ֏
×
от 50 шт. — 223 ֏
IRF7404TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
364 ֏
247 ֏
×
от 50 шт. — 227 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60