Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.54

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
2 790 ֏ ×
от 15 шт. — 2 750 ֏
SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
3 400 ֏
2 280 ֏
×
от 15 шт. — 2 250 ֏
SPW17N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
6 100 ֏ ×
от 15 шт. — 5 900 ֏
SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Крутизна характеристики, S: 17.5
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
5 400 ֏
3 980 ֏
×
от 15 шт. — 3 950 ֏
SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/15.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 240
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
6 400 ֏
4 560 ֏
×
от 15 шт. — 4 490 ֏
SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 284
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
7 100 ֏
5 100 ֏
×
от 15 шт. — 4 950 ֏
SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 34.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/21.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 313
Корпус: PG-TO247
быстрый просмотр
10 500 ֏
7 500 ֏
×
STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK]
9 дней, 412 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
412 шт.
1 950 ֏ ×
от 15 шт. — 1 920 ֏
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
9 дней, 1674 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
1674 шт.
730 ֏
500 ֏
×
от 15 шт. — 467 ֏
STB60NF06, Транзистор N-MOSFET 60В 60А [D2PAK]
9 дней, 204 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
9 дней,
204 шт.
790 ֏ ×
от 100 шт. — 720 ֏
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK]
9 дней, 39 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
39 шт.
790 ֏
465 ֏
×
от 15 шт. — 463 ֏
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
9 дней, 696 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
696 шт.
1 670 ֏ ×
от 15 шт. — 1 630 ֏
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
9 дней, 1357 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
1357 шт.
940 ֏ ×
от 50 шт. — 800 ֏
STD10PF06T4-VB, Транзистор P-MOSFET 60В 30А 34Вт [D-PAK]
9 дней, 524 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.061 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
524 шт.
530 ֏ ×
от 15 шт. — 489 ֏
STD12NF06LT4, Транзистор N-MOSFET 60В 12А 31.3Вт [D-PAK]
9 дней, 251 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 31.3
Крутизна характеристики, S: 25.3
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
251 шт.
234 ֏ ×
от 15 шт. — 214 ֏
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
9 дней, 1497 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
1497 шт.
1 220 ֏ ×
от 15 шт. — 1 140 ֏
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK]
9 дней, 623 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
623 шт.
850 ֏
670 ֏
×
от 15 шт. — 610 ֏
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK]
9 дней, 84 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
84 шт.
467 ֏ ×
от 15 шт. — 427 ֏
STD3NK90ZT4, Транзистор N-MOSFET 900В 4А 75Вт [D-PAK]
9 дней, 356 шт.
Бренд: Tokmas
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 4.5
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
9 дней,
356 шт.
630 ֏ ×
от 15 шт. — 570 ֏
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
9 дней, 23 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
23 шт.
540 ֏
325 ֏
×
от 15 шт. — 307 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60