Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.67

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDS3992, MOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
Бренд: ON Semiconductor
быстрый просмотр
2 140 ֏ ×
от 5 шт. — 1 870 ֏
FDS6294, Транзистор
Бренд: Fairchild
быстрый просмотр
190 ֏ ×
от 5 шт. — 161 ֏
FDS6298
Бренд: Fairchild
быстрый просмотр
125 ֏ ×
быстрый просмотр
750 ֏ ×
от 5 шт. — 710 ֏
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0093 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 55
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
454 ֏
×
от 25 шт. — 434 ֏
FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
234 ֏ ×
от 5 шт. — 223 ֏
быстрый просмотр
223 ֏ ×
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.6
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
233 ֏
×
от 10 шт. — 207 ֏
FDY302NZ, Микросхема
Бренд: ON Semiconductor
быстрый просмотр
83 ֏ ×
от 5 шт. — 49 ֏
быстрый просмотр
940 ֏ ×
от 5 шт. — 920 ֏
FQD8P10TM_F085, Транзистор
Бренд: ON Semiconductor
быстрый просмотр
650 ֏ ×
от 5 шт. — 630 ֏
быстрый просмотр
265 ֏ ×
от 5 шт. — 227 ֏
быстрый просмотр
570 ֏ ×
от 5 шт. — 540 ֏
FQP50N06L, Транзистор
Бренд: Fairchild
быстрый просмотр
780 ֏ ×
от 5 шт. — 580 ֏
FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 ом при 42.5a, 10в
быстрый просмотр
4 450 ֏ ×
быстрый просмотр
1 340 ֏ ×
FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/0.425, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.2
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
334 ֏
216 ֏
×
от 50 шт. — 200 ֏
FQU11P06, Транзистор P-MOSFET 60В 20А [TO-251]
9 дней, 10 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9 дней,
10 шт.
256 ֏ ×
от 3 шт. — 246 ֏
FS3400 X0FS22, SOT-23-3L MOSFETs ROHS
9 дней, 10 шт.
Бренд: FOSAN
быстрый просмотр
9 дней,
10 шт.
42 ֏ ×
от 5 шт. — 40 ֏
GS61004B-TR, Транзистор GaN 100В 45А [4.6 x 4.4 mm]
9 дней, 8 шт.
Бренд: GaN Systems
быстрый просмотр
9 дней,
8 шт.
6 600 ֏ ×
от 3 шт. — 6 400 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60