Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.99

1980 из 2252
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
YGW25N135F1A
8-10 недель, 103 шт.
Бренд: luxin-semi
быстрый просмотр
8-10 недель,
103 шт.
1 250 ֏ ×
от 10 шт. — 1 120 ֏
от 30 шт. — 1 000 ֏
от 90 шт. — 910 ֏
быстрый просмотр
53 000 ֏ ×
от 10 шт. — 50 400 ֏
от 20 шт. — 47 700 ֏
быстрый просмотр
183 000 ֏ ×
быстрый просмотр
2 230 ֏ ×
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: NPT
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: PG-TO-220-3-1
быстрый просмотр
2 070 ֏ ×
от 15 шт. — 2 000 ֏
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] [EOL]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: NPT
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
3 290 ֏ ×
от 15 шт. — 3 270 ֏
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
По запросу
Бренд: Toshiba
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-16F1A
быстрый просмотр
По запросу
2 420 ֏ ×
быстрый просмотр
По запросу
1 300 ֏ ×
IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 299
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
2 710 ֏ ×
от 5 шт. — 2 650 ֏
IRG4IBC20UD, IGBT 600В 11А TO220FP, транзистор
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11.4
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 34
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
409 ֏ ×
IRG4PC50UDPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц [TO-247AC]
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
3 130 ֏ ×
от 15 шт. — 3 110 ֏
IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
5 500 ֏ ×
IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 90
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 245
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: Super-247
быстрый просмотр
5 800 ֏ ×
от 15 шт. — 5 700 ֏
IRGP4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: Trench
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
1 380 ֏ ×
от 15 шт. — 1 310 ֏
MSG75T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 75А 625Вт [TO-264]
По запросу
Бренд: MASPOWER
Технология/семейство: Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 115
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 230
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 441
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 205
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
По запросу
2 830 ֏ ×
от 10 шт. — 2 580 ֏
SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220]
Бренд: Fairchild
Технология/семейство: UFD series
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
960 ֏ ×
от 15 шт. — 940 ֏
STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
По запросу
930 ֏ ×
от 15 шт. — 910 ֏
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
По запросу
Бренд: China
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
По запросу
2 600 ֏ ×
от 15 шт. — 2 560 ֏
IRG4IBC30UDPBF, 600В 17А 60кГц TO220FP
Бренд: IR
Технология/семейство: Gen 4
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 17
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 68
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 45
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
1 430 ֏ ×
IRG7IC28UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт, [TO-220FP]
Бренд: Infineon
Технология/семейство: PDP Trench
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: TO-247 FULLPACK
быстрый просмотр
487 ֏ ×
от 15 шт. — 480 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60