Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.12

317 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF7424TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 11А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
760 ֏
×
от 25 шт. — 740 ֏
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 39
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
970 ֏
550 ֏
×
от 25 шт. — 520 ֏
IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.1
Корпус: D2PAK(2 Leads+1 Tab)
быстрый просмотр
880 ֏ ×
от 15 шт. — 850 ֏
IRFR5505PBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 57
Крутизна характеристики, S: 4.2
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
427 ֏ ×
IRFR5505TRLPBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 57
Крутизна характеристики, S: 4.2
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
730 ֏
435 ֏
×
от 15 шт. — 419 ֏
IRFR9120NTRLPBF, Транзистор, HEXFET, Р-канал, 100В, 6.5А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/3.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 790 ֏
IRLML9301TR, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [SOT-23-3] [EOL]
3 недели, 37 шт.
Бренд: KLS
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.064 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
3 недели,
37 шт.
79 ֏
24 ֏
×
от 10 шт. — 22 ֏
SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.75
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
1 040 ֏
940 ֏
×
от 100 шт. — 900 ֏
SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/11.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
475 ֏
×
от 10 шт. — 435 ֏
SI4435DYTRPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏ ×
от 25 шт. — 570 ֏
IRLML9301TRPBF, транзистор P канал30В -3.6А Micro3/SOT23
2-3 недели, 450 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 51 мОм/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2-3 недели,
450 шт.
66 ֏ ×
AO3403A, SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 75 мОм/2.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
31 ֏ ×
AO3407A, 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2
8-10 недель, 90000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 52 мОм/4.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 8.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
90000 шт.
27 ֏ ×
AO3409A, 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
8-10 недель, 90000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 97 мОм/2.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
90000 шт.
27 ֏ ×
AO3413A, SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 66 мОм/3А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
22 ֏ ×
AO3415A, 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
8-10 недель, 90000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 34 мОм/4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
90000 шт.
27 ֏ ×
AO3423A, Package/EnclosureSOT-23 fet typeP-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs12V Drain-source voltage Vds-20V
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 60 мОм/2.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
36 ֏ ×
AO4405, Package/EnclosureSOP-8
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 33 мОм/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
58 ֏ ×
AO4407A, Package/EnclosureSOP-8 fet typeP-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs20V Drain-source voltage Vds-30V
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 95 мОм/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 42
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
88 ֏ ×
AO4435, SOP-8 MOSFETS ROHS
8-10 недель, 120000 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 мОм/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8-10 недель,
120000 шт.
66 ֏ ×
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60