Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.22

1296 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF520NSTRLPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.7А [D2-PАK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/5.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 2.7
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
530 ֏ ×
от 15 шт. — 510 ֏
IRF520PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.2А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Крутизна характеристики, S: 2.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
590 ֏
452 ֏
×
от 15 шт. — 442 ֏
IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
417 ֏
×
от 15 шт. — 399 ֏
IRF530NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
730 ֏
471 ֏
×
от 15 шт. — 453 ֏
IRF530PBF, Транзистор, N-канал 100В 15А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 5.1
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
343 ֏
×
от 15 шт. — 316 ֏
IRF540NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 400 ֏
900 ֏
×
от 15 шт. — 870 ֏
IRF540PBF, Транзистор, N-канал 100В 28А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.077 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 8.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
910 ֏
550 ֏
×
от 15 шт. — 530 ֏
IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
590 ֏
334 ֏
×
от 15 шт. — 316 ֏
IRF620PBF, Транзистор, N-канал 200В 5.2А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
389 ֏
×
от 15 шт. — 370 ֏
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
10 дней, 779 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
10 дней,
779 шт.
910 ֏
610 ֏
×
от 15 шт. — 540 ֏
IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 100 ֏
580 ֏
×
от 15 шт. — 510 ֏
IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 82
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 460 ֏
900 ֏
×
от 50 шт. — 870 ֏
IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
590 ֏
335 ֏
×
от 15 шт. — 318 ֏
IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 120 ֏
×
от 15 шт. — 1 090 ֏
IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 050 ֏
×
от 15 шт. — 1 030 ֏
IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 6.7
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 040 ֏
730 ֏
×
от 50 шт. — 680 ֏
IRF644PBF, Транзистор, N-канал 250В 14А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 6.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 340 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 780 ֏
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0345 Ом/7.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 450 ֏
×
от 5 шт. — 1 310 ֏
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96
Крутизна характеристики, S: 140
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
2 670 ֏
1 740 ֏
×
от 15 шт. — 1 720 ֏
IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/5.6a, 10В
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
3 880 ֏
2 660 ֏
×
от 15 шт. — 2 640 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60