Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.36

1296 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRLR8256TRPBF, Транзистор N-MOSFET 25В 81A [DPAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 81
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0057Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
431 ֏
294 ֏
×
от 15 шт. — 276 ֏
IRLR8729TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 58А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 58
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0089 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
910 ֏
520 ֏
×
от 15 шт. — 491 ֏
IRLR8743TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 160А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 135
Крутизна характеристики, S: 89
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 790 ֏
IRLU120NPBF, Транзистор, N-канал 100В 10А logic [TO-251AA/I-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 3.1
Корпус: IPAK
быстрый просмотр
590 ֏
377 ֏
×
от 15 шт. — 359 ֏
IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
410 ֏
×
от 15 шт. — 389 ֏
IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 30А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
590 ֏
391 ֏
×
от 15 шт. — 366 ֏
IRLZ44NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 340 ֏
850 ֏
×
от 15 шт. — 830 ֏
IRLZ44PBF, Транзистор, N-канал 60В 50А logic [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/31А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 100 ֏
710 ֏
×
от 15 шт. — 680 ֏
IRLZ44ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 51А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
466 ֏ ×
от 15 шт. — 446 ֏
IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227]
Бренд: Ixys
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.135 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1000
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOT-227
быстрый просмотр
67 900 ֏
33 100 ֏
×
от 2 шт. — 31 700 ֏
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Бренд: Ixys
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 400
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: TO-3P
быстрый просмотр
5 700 ֏
3 910 ֏
×
от 15 шт. — 3 860 ֏
LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]
Бренд: Microchip
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1000 Ом/0.05А, 0В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.74
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
2 570 ֏ ×
от 15 шт. — 2 290 ֏
MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
97 ֏
78 ֏
×
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
10 дней, 4556 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
10 дней,
4556 шт.
50 ֏ ×
от 100 шт. — 44 ֏
MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]
10 дней, 201 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.58 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
10 дней,
201 шт.
2 850 ֏
1 960 ֏
×
от 15 шт. — 1 940 ֏
MS12N100FC, Транзистор N-MOSFET 1000В 12А 160Вт [TO-247]
10 дней, 282 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.35 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272
Крутизна характеристики, S: 9.5
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
282 шт.
870 ֏ ×
от 10 шт. — 850 ֏
MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]
10 дней, 169 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290
Крутизна характеристики, S: 9
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
169 шт.
2 160 ֏ ×
от 10 шт. — 1 980 ֏
MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]
10 дней, 282 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
282 шт.
2 720 ֏ ×
от 10 шт. — 2 490 ֏
MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]
10 дней, 244 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: TO-263
быстрый просмотр
10 дней,
244 шт.
690 ֏ ×
от 10 шт. — 630 ֏
MS4N1350W, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 140Вт [TO-247]
10 дней, 195 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
195 шт.
770 ֏ ×
от 10 шт. — 700 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60