Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.45

1334 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
291 ֏
124 ֏
×
от 100 шт. — 107 ֏
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
455 ֏
293 ֏
×
от 15 шт. — 282 ֏
FCP11N60F, Транзистор, N-канал 600В 11А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 9.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 590 ֏
×
FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
5 600 ֏
3 760 ֏
×
от 15 шт. — 3 740 ֏
FCPF7N60, Транзистор, N-канал 600В 7А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
3 040 ֏
1 900 ֏
×
от 15 шт. — 1 880 ֏
FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
97 ֏ ×
от 100 шт. — 88 ֏
FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
231 ֏ ×
от 5 шт. — 220 ֏
FDS9945, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 60В 3.5А [SO-8]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.6
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
231 ֏
×
от 10 шт. — 205 ֏
FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 ом при 42.5a, 10в
быстрый просмотр
4 400 ֏ ×
FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/0.425, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.2
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
334 ֏
214 ֏
×
от 50 шт. — 198 ֏
HUF75645P3, Транзистор, N-канал 75А 100В [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 430 ֏
2 030 ֏
×
IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [TO-252-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56
Корпус: TO-252-3
быстрый просмотр
1 100 ֏
660 ֏
×
от 15 шт. — 640 ֏
IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0055 ом при 30a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 75
Корпус: to220
быстрый просмотр
1 190 ֏ ×
IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 76
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.037 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
12 800 ֏
9 000 ֏
×
IRF2907ZS-7PPBF, Транзистор N-канал 75В 160А, [D2-Pak-7]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/110А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 94
Корпус: D2PAK-7(6 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 190 ֏ ×
от 15 шт. — 1 170 ֏
IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 57
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 160 ֏ ×
IRF820APBF
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 ом при 1.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
530 ֏ ×
IRFB17N50LPBF, Транзистор, N-канал 500В 16А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/9.9a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 600 ֏
×
от 15 шт. — 1 580 ֏
IRFB812PBF, Транзистор, N-канал 500В 3.6А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 78
Крутизна характеристики, S: 7.6
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
670 ֏
451 ֏
×
от 15 шт. — 436 ֏
IRFBA1405PPBF, Транзистор, N-канал 55В 174А [Super-220] [EOL]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 174
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/101А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: Super-220
быстрый просмотр
2 600 ֏ ×
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60