Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.14

_{310 из 2247}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGWT40HP65FB, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT 7-9 недель, 734 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 734 шт.	4 010 ֏ ×	от 10 шт. — 3 570 ֏ от 25 шт. — 2 840 ֏ от 100 шт. — 2 270 ֏
STGWT40HP65FB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 1006 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 1006 шт.	3 440 ֏ ×	от 10 шт. — 2 910 ֏ от 100 шт. — 2 420 ֏
STGWT60H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 770 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 770 шт.	5 900 ֏ ×	от 10 шт. — 4 890 ֏ от 100 шт. — 3 990 ֏
STGWT60H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P 5-6 недель, 18 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 18 шт.	3 440 ֏ ×	от 10 шт. — 2 950 ֏
STGWT60H65FB, IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB 7-9 недель, 299 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 299 шт.	4 670 ֏ ×	от 10 шт. — 3 610 ֏ от 25 шт. — 3 290 ֏ от 100 шт. — 2 640 ֏
STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 7-9 недель, 210 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 210 шт.	1 720 ֏ ×
STGWT80H65DFB, IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd 7-9 недель, 267 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 267 шт.	7 700 ֏ ×	от 10 шт. — 6 200 ֏ от 25 шт. — 5 400 ֏ от 100 шт. — 4 610 ֏
STGWT80V60DF, IGBT, SINGLE, 600V, 120A, TO-3P-3 9-11 недель, 270 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 270 шт.	14 100 ֏ ×	от 5 шт. — 12 000 ֏ от 10 шт. — 9 900 ֏
STGY40NC60VD, IGBTs N Ch 600V 50A Max247 7-9 недель, 422 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 422 шт.	8 000 ֏ ×	от 10 шт. — 7 500 ֏ от 25 шт. — 6 000 ֏ от 100 шт. — 4 790 ֏
STGY50NC60WD, IGBTs 600V 65A N-Channel 7-9 недель, 1162 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1162 шт.	13 700 ֏ ×	от 25 шт. — 10 200 ֏ от 600 шт. — 9 500 ֏
VN5E025AJTR-E, Драйвер FET-IGBT 5-6 недель, 2464 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 2464 шт.	2 690 ֏ ×
VN800PSTR-E, Драйвер FET-IGBT 5-6 недель, 6 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 6 шт.	2 160 ֏ ×
VNH5019ATR-E, Драйвер FET-IGBT SOP-30 5-6 недель, 37 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-6 недель, 37 шт.	7 700 ֏ ×	от 10 шт. — 6 300 ֏ от 30 шт. — 5 600 ֏
STGB18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 30А [D2PAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	462 ֏ ×	от 10 шт. — 434 ֏
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 420В 25А [DPAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	570 ֏ ×	от 10 шт. — 540 ֏
STGD6NC60HDT4, Транзистор IGBT 600В 15А [DPAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	427 ֏ ×	от 15 шт. — 403 ֏
STGF6NC60HD, Транзистор IGBT 600В 6А [TO-220FP] По запросу Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	По запросу	710 ֏ ×	от 10 шт. — 670 ֏
STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В По запросу Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	По запросу	920 ֏ ×	от 15 шт. — 900 ֏
STGIPS14K60T, Микросхема: driver; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC; SLLIмм™; SDIP-25L 2-3 недели, 9 шт. Бренд: ST Microelectronics		2-3 недели, 9 шт.	26 800 ֏ ×
STGD14NC60KT4 3 недели, 22 шт. Бренд: ST Microelectronics		3 недели, 22 шт.	1 810 ֏ ×	от 2 шт. — 1 370 ֏ от 5 шт. — 1 100 ֏ от 10 шт. — 980 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.14

ООО «ЧИП и ДИП»