Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.77

_{1960 из 2222}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		126 000 ֏ ×	от 5 шт. — 116 000 ֏ от 10 шт. — 107 000 ֏
NXH25C120L2C2SG, Plugin Power Modules Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		61 200 ֏ ×
NXH25C120L2C2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 25 А, 1.7 В Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		63 500 ֏ ×	от 5 шт. — 58 300 ֏
NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		289 000 ֏ ×
NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press- Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		227 000 ֏ ×
NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		139 000 ֏ ×
NXH35C120L2C2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 А, 1.8 В Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		115 000 ֏ ×	от 5 шт. — 106 000 ֏
NXH40T120L3Q1SG IGBT Module 1200 V, 44-Pin Q13-TNPC, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		836 000 ֏ ×
NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		186 000 ֏ ×	от 5 шт. — 164 000 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		86 800 ֏ ×	от 5 шт. — 79 500 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		114 000 ֏ ×	от 12 шт. — 97 700 ֏
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		66 700 ֏ ×	от 5 шт. — 60 900 ֏ от 10 шт. — 59 000 ֏
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		71 200 ֏ ×	от 5 шт. — 64 900 ֏ от 10 шт. — 62 700 ֏
PSI 100/06, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 600В 8 недель, 18 шт. Бренд: POWERSEM	быстрый просмотр	8 недель, 18 шт.	52 300 ֏ ×	от 3 шт. — 42 000 ֏ от 10 шт. — 35 800 ֏
PSII 15/12, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, 3-фазный мост IGBT, Ic: 14А 8 недель, 25 шт. Бренд: POWERSEM	быстрый просмотр	8 недель, 25 шт.	35 500 ֏ ×	от 3 шт. — 29 700 ֏ от 10 шт. — 26 900 ֏
PSSI 100/12, Модуль: IGBT, диод/транзистор, boost chopper, Urmax: 1,2кВ, Ic: 94А 8 недель, 25 шт. Бренд: POWERSEM	быстрый просмотр	8 недель, 25 шт.	53 100 ֏ ×	от 3 шт. — 45 300 ֏ от 10 шт. — 38 600 ֏
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0, IGBT Transistors IGBT-G8H 1250V/25A built-in FRD TO247A 6-9 недель, 355 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	6-9 недель, 355 шт.	8 000 ֏ ×	от 10 шт. — 7 100 ֏ от 25 шт. — 6 600 ֏ от 100 шт. — 5 300 ֏
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0, IGBTs POWER TRANSISTOR 1250V 40A IGBT G8H 6-9 недель, 247 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	6-9 недель, 247 шт.	10 700 ֏ ×	от 10 шт. — 9 200 ֏ от 25 шт. — 8 200 ֏ от 100 шт. — 6 600 ֏
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0, IGBT Transistors POWER TRANSISTOR 650V 40A IGBT G8H 6-9 недель, 494 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	6-9 недель, 494 шт.	7 700 ֏ ×	от 10 шт. — 6 800 ֏ от 25 шт. — 6 200 ֏ от 100 шт. — 5 100 ֏
RGCL60TK60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and 6-9 недель, 21 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 21 шт.	6 900 ֏ ×	от 10 шт. — 5 300 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.77

ООО «ЧИП и ДИП»