Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Rohm, стр.7

_{168 из 2251}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

RGW00TS65CHRC11, IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD 6-9 недель, 463 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 463 шт.	15 800 ֏ ×	от 10 шт. — 13 200 ֏ от 25 шт. — 12 300 ֏ от 50 шт. — 10 700 ֏
RGW00TS65DHRC11 Single IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole 8 недель, 18 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	8 недель, 18 шт.	12 800 ֏ ×
RGW00TS65DHRC11, IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. 6-9 недель, 450 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 450 шт.	7 100 ֏ ×	от 10 шт. — 5 600 ֏ от 250 шт. — 4 070 ֏ от 450 шт. — 4 060 ֏
RGW00TS65EHRC11 Single IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole 8 недель, 18 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	8 недель, 18 шт.	14 000 ֏ ×
RGW00TS65EHRC11, БТИЗ транзистор, 96 А, 1.5 В, 254 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 20 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 20 шт.	9 100 ֏ ×	от 5 шт. — 8 500 ֏ от 10 шт. — 7 700 ֏
RGW00TS65GC11, IGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT 6-9 недель, 385 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 385 шт.	7 600 ֏ ×	от 25 шт. — 5 700 ֏ от 100 шт. — 4 270 ֏
RGW00TS65HRC11 Single IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole 8 недель, 30 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	8 недель, 30 шт.	10 800 ֏ ×
RGW00TS65HRC11, БТИЗ транзистор, 96 А, 1.5 В, 254 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 18 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 18 шт.	7 000 ֏ ×	от 10 шт. — 6 000 ֏
RGW40TK65DGVC11, IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH 6-9 недель, 900 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 900 шт.	7 400 ֏ ×	от 10 шт. — 6 100 ֏ от 25 шт. — 5 700 ֏ от 100 шт. — 4 420 ֏
RGW40TS65DGC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 40A/136W/TO-247N 9-11 недель, 30 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 30 шт.	5 600 ֏ ×	от 10 шт. — 4 630 ֏
RGW40TS65GC11, IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT 6-9 недель, 355 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 355 шт.	5 600 ֏ ×	от 10 шт. — 4 270 ֏ от 25 шт. — 3 340 ֏ от 250 шт. — 2 580 ֏
RGW50TS65GC11, IGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT 6-9 недель, 450 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 450 шт.	5 800 ֏ ×	от 10 шт. — 4 490 ֏ от 25 шт. — 3 490 ֏ от 250 шт. — 2 700 ֏
RGW50TS65GC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 50A/156W/TO-247N 9-11 недель, 25 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 25 шт.	4 850 ֏ ×	от 10 шт. — 4 140 ֏
RGW60TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 33 А, 1.5 В, 72 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 16 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 16 шт.	4 320 ֏ ×	от 10 шт. — 4 230 ֏
RGW60TK65GVC11, IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 6-9 недель, 448 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 448 шт.	7 200 ֏ ×	от 10 шт. — 5 600 ֏ от 25 шт. — 5 100 ֏ от 100 шт. — 4 060 ֏
RGW60TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 33 А, 1.5 В, 72 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 28 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 28 шт.	3 870 ֏ ×	от 10 шт. — 3 290 ֏
RGW60TS65CHRC11 Single IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole 8 недель, 30 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	8 недель, 30 шт.	19 800 ֏ ×
RGW60TS65CHRC11, IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD 6-9 недель, 473 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 473 шт.	14 700 ֏ ×	от 10 шт. — 12 300 ֏ от 25 шт. — 11 300 ֏ от 50 шт. — 11 000 ֏
RGW60TS65DGC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 178 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов) 9-11 недель, 20 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	9-11 недель, 20 шт.	5 200 ֏ ×	от 10 шт. — 4 400 ֏
RGW60TS65GC11, IGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT 6-9 недель, 542 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	6-9 недель, 542 шт.	4 360 ֏ ×	от 25 шт. — 3 120 ֏ от 100 шт. — 2 480 ֏ от 450 шт. — 2 250 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Rohm, стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»