Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.9

более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF540NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 400 ֏
870 ֏
×
от 15 шт. — 840 ֏
IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 100 ֏
550 ֏
×
от 15 шт. — 484 ֏
IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 82
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 460 ֏
870 ֏
×
от 50 шт. — 840 ֏
IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 080 ֏
×
от 15 шт. — 1 050 ֏
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0345 Ом/7.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 390 ֏
×
от 5 шт. — 1 260 ֏
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96
Крутизна характеристики, S: 140
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
2 670 ֏
1 670 ֏
×
от 15 шт. — 1 650 ֏
IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/5.6a, 10В
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
3 880 ֏
2 570 ֏
×
от 15 шт. — 2 540 ֏
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
308 ֏
×
от 25 шт. — 294 ֏
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.1/4.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
443 ֏
303 ֏
×
от 50 шт. — 279 ֏
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/7.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
447 ֏
×
от 25 шт. — 400 ֏
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
317 ֏
×
от 25 шт. — 278 ֏
IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 6.6
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
425 ֏
257 ֏
×
от 25 шт. — 241 ֏
IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 130 ֏
1 250 ֏
×
от 25 шт. — 1 240 ֏
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
295 ֏
×
от 25 шт. — 273 ֏
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
381 ֏
×
от 25 шт. — 367 ֏
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
428 ֏
×
от 25 шт. — 410 ֏
IRF7306TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
670 ֏
378 ֏
×
от 5 шт. — 324 ֏
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
403 ֏
×
от 25 шт. — 388 ֏
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
431 ֏
×
от 25 шт. — 395 ֏
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
382 ֏
×
от 25 шт. — 360 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60