Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.37

1296 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]
10 дней, 202 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
10 дней,
202 шт.
280 ֏ ×
от 10 шт. — 256 ֏
MS5N100FT, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-220]
10 дней, 396 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
10 дней,
396 шт.
280 ֏ ×
от 10 шт. — 256 ֏
MS6N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 6А 160Вт [TO-220]
10 дней, 270 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 5.7
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
270 шт.
560 ֏ ×
от 10 шт. — 520 ֏
MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
10 дней, 157 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167
Крутизна характеристики, S: 5.6
Корпус: TO-263
быстрый просмотр
10 дней,
157 шт.
560 ֏ ×
от 10 шт. — 520 ֏
MS8N120FC, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-247]
10 дней, 258 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
258 шт.
960 ֏ ×
от 10 шт. — 880 ֏
MS8N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-220]
10 дней, 157 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/4А, 10В
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
10 дней,
157 шт.
690 ֏ ×
от 10 шт. — 630 ֏
MS9N150H1, Транзистор N-MOSFET 1500В 9А 350Вт [TO-247]
10 дней, 349 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 350
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
10 дней,
349 шт.
1 840 ֏ ×
от 15 шт. — 1 690 ֏
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.21 Ом/1.3А, 2.7В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 3.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
128 ֏
108 ֏
×
от 100 шт. — 106 ֏
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 32
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
1 280 ֏
750 ֏
×
от 15 шт. — 730 ֏
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 130 ֏
×
от 15 шт. — 1 110 ֏
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25.5
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
730 ֏
439 ֏
×
от 15 шт. — 426 ֏
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: SO-8FL
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 410 ֏
×
от 15 шт. — 1 390 ֏
PSMN017-60YS,115, Транзистор MOSFET N-канал 60В 44А [LFPAK]
10 дней, 165 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0157 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Корпус: LFPAK/SOT-669
быстрый просмотр
10 дней,
165 шт.
1 520 ֏
1 060 ֏
×
от 15 шт. — 1 000 ֏
PSMN3R4-30PL,127, Транзистор Logic level MOSFET, 30В, 100А [SOT-78 / TO-220AB]
10 дней, 107 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0034 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 114
Корпус: to-220
быстрый просмотр
10 дней,
107 шт.
2 910 ֏
2 080 ֏
×
от 15 шт. — 2 060 ֏
RD01MUS2-T113, Транзистор для VHF/UHF усилителей, 1.6Вт, 14dB, 7.2В, 527МГц [SOT-89]
Бренд: Mitsubishi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.06
Корпус: sot-89
быстрый просмотр
1 040 ֏
610 ֏
×
от 20 шт. — 590 ֏
RD16HHF1-501, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]
Бренд: Mitsubishi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 16
Корпус: to-220
быстрый просмотр
9 800 ֏
7 500 ֏
×
от 15 шт. — 7 400 ֏
RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 400 ֏
900 ֏
×
от 15 шт. — 870 ֏
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
10 дней, 1246 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
10 дней,
1246 шт.
140 ֏
74 ֏
×
от 100 шт. — 64 ֏
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
10 дней, 8643 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
10 дней,
8643 шт.
170 ֏
120 ֏
×
от 100 шт. — 112 ֏
SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042Ом/4.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
425 ֏
204 ֏
×
от 100 шт. — 164 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60